116950 / 2011-05-17 - Uczelnia publiczna / Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej (Warszawa)

Oryginalny tusz w butelce T03V14A (Nr 101) Czarny marki Epson

Cena: 56.58 PLN

Sonda Langmuira

Opis zamówienia

Przedmiotem zamówienia jest sonda Langmuira - fabrycznie nowe urządzenie do diagnostyki plazmy niskotemperaturowej. Urządzenie umożliwiać powinno wyznaczenie następujących wielkości fizycznych: gęstości jonów i elektronów , temperatura elektronów, EEDF (rozkład gęstości energii elektronów), potencjał plazmy, potencjał pływający, długość ekranowania Debye a, opisujących stan plazmy generowanej pod obniżonym ciśnieniem w warunkach: 1. wzbudzania plazmy w urządzeniu do wytwarzania warstw metodą pulsującego rozpylania magnetronowego (PMS - Pulse Magnetron Sputtering) przy zasilaniu magnetronu - źródła plazmy w metodzie PMS napięciem o częstotliwości do 100 kHz modulowanym częstotliwością do 2 kHz, 2. wzbudzania plazmy w urządzeniu do wytwarzania warstw metodą IPD (Impulse Plasma Deposition), w której plazma powstaje w sposób cyklicznie powtarzający się w częstotliwością rzędu 10 Hz w koaksjalnym akceleratorze plazmy pod wpływem rozładowania baterii kondensatorów następującego każdorazowo w okresie czasu rzędu 10-4 s. W odniesieniu do cech pomiarowych sondy i systemu kontroli urządzenie powinno: a) zapewniać pomiar wymienionych wyżej parametrów plazmy w zakresie napięć od -200 V do + 100 V i prądu od 20 mikroamperów do 1 A z szybkością skanowania nie mniejszą niż 15 scan/s w warunkach wyzwalania poziomem lub zboczem sygnału wyzwalającego (narastającego, malejącego) z rozdzielczością czasową nie mniejsza niż 60 ns oraz pasmem częstotliwości sygnału do 3 MHz a także możliwością wyboru opóźnienia rozpoczęcia pomiaru względem sygnału wyzwalania, b) zapewniać późniejszą rozbudowę o możliwość wyboru trybu pracy urządzenia: akwizycja i obróbka danych podczas skanowania w całym zakresie napięć lub akwizycja i obróbka danych dla wybranej wartości napięcia z podanego wyżej zakresu, c) zapewniać całkowicie zautomatyzowaną akwizycję danych z szybkością nie mniejszą niż 62000 points/s w pasmie nie gorszym niż 1 MHz, d) zapewniać możliwość automatycznego, sterowanego przemieszczania sondy wzdłuż osi z na odległość nie mniejszą niż 250 mm, e) zapewniać pełną kontrolę (systemu akwizycji i obróbki danych, wyznaczania wielkości fizycznych opisujących stan plazmy, systemu przemieszczania sondy wzdłuż osi z) z poziomu komputera PC przy wykorzystaniu integralnego oprogramowania kompatybilnego z systemem Windows, f) zapewniać taką konstrukcję urządzenia, aby umożliwić jego dołączenia do komory próżniowej przy wykorzystaniu próżnioszczelnego systemu mocowania, g) posiadać elektrodę kompensacji sygnału RF, aby w znaczący sposób skompensować sygnał RF w przestrajanych obwodach o wysokiej impedancji, h) posiadać sondę odniesienia dla kompensacji niskoczęstotliwościowych fluktuacji powodujących dryfowanie potencjału plazmy w reaktorach z niezbyt dobrze zdefiniowanym potencjałem ziemi i możliwymi niestabilnościami zasilania, i) urządzenie powinno posiadać minimum jedno wejście sygnału RS485

Numer biuletynu: 1

Pozycja w biuletynie: 116950

Data publikacji: 2011-05-17

Nazwa:
Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej

Ulica: ul. Wołoska 141

Numer domu: 141

Miejscowość: Warszawa

Kod pocztowy: 02-507

Województwo / kraj: mazowieckie

Numer telefonu: 022 2348729, 2348741

Numer faxu: 022 2348514

Regon: 00000155400000

Typ ogłoszenia: ZP-400

Czy jest obowiązek publikacji w biuletynie: Tak

Ogłoszenie dotyczy: 1

Rodzaj zamawiającego: Uczelnia publiczna

Nazwa nadana zamówieniu przez zamawiającego: Sonda Langmuira

Rodzaj zamówienia: D

Przedmiot zamówienia:
Przedmiotem zamówienia jest sonda Langmuira - fabrycznie nowe urządzenie do diagnostyki plazmy niskotemperaturowej. Urządzenie umożliwiać powinno wyznaczenie następujących wielkości fizycznych: gęstości jonów i elektronów , temperatura elektronów, EEDF (rozkład gęstości energii elektronów), potencjał plazmy, potencjał pływający, długość ekranowania Debye a, opisujących stan plazmy generowanej pod obniżonym ciśnieniem w warunkach: 1. wzbudzania plazmy w urządzeniu do wytwarzania warstw metodą pulsującego rozpylania magnetronowego (PMS - Pulse Magnetron Sputtering) przy zasilaniu magnetronu - źródła plazmy w metodzie PMS napięciem o częstotliwości do 100 kHz modulowanym częstotliwością do 2 kHz, 2. wzbudzania plazmy w urządzeniu do wytwarzania warstw metodą IPD (Impulse Plasma Deposition), w której plazma powstaje w sposób cyklicznie powtarzający się w częstotliwością rzędu 10 Hz w koaksjalnym akceleratorze plazmy pod wpływem rozładowania baterii kondensatorów następującego każdorazowo w okresie czasu rzędu 10-4 s. W odniesieniu do cech pomiarowych sondy i systemu kontroli urządzenie powinno: a) zapewniać pomiar wymienionych wyżej parametrów plazmy w zakresie napięć od -200 V do + 100 V i prądu od 20 mikroamperów do 1 A z szybkością skanowania nie mniejszą niż 15 scan/s w warunkach wyzwalania poziomem lub zboczem sygnału wyzwalającego (narastającego, malejącego) z rozdzielczością czasową nie mniejsza niż 60 ns oraz pasmem częstotliwości sygnału do 3 MHz a także możliwością wyboru opóźnienia rozpoczęcia pomiaru względem sygnału wyzwalania, b) zapewniać późniejszą rozbudowę o możliwość wyboru trybu pracy urządzenia: akwizycja i obróbka danych podczas skanowania w całym zakresie napięć lub akwizycja i obróbka danych dla wybranej wartości napięcia z podanego wyżej zakresu, c) zapewniać całkowicie zautomatyzowaną akwizycję danych z szybkością nie mniejszą niż 62000 points/s w pasmie nie gorszym niż 1 MHz, d) zapewniać możliwość automatycznego, sterowanego przemieszczania sondy wzdłuż osi z na odległość nie mniejszą niż 250 mm, e) zapewniać pełną kontrolę (systemu akwizycji i obróbki danych, wyznaczania wielkości fizycznych opisujących stan plazmy, systemu przemieszczania sondy wzdłuż osi z) z poziomu komputera PC przy wykorzystaniu integralnego oprogramowania kompatybilnego z systemem Windows, f) zapewniać taką konstrukcję urządzenia, aby umożliwić jego dołączenia do komory próżniowej przy wykorzystaniu próżnioszczelnego systemu mocowania, g) posiadać elektrodę kompensacji sygnału RF, aby w znaczący sposób skompensować sygnał RF w przestrajanych obwodach o wysokiej impedancji, h) posiadać sondę odniesienia dla kompensacji niskoczęstotliwościowych fluktuacji powodujących dryfowanie potencjału plazmy w reaktorach z niezbyt dobrze zdefiniowanym potencjałem ziemi i możliwymi niestabilnościami zasilania, i) urządzenie powinno posiadać minimum jedno wejście sygnału RS485

Kody CPV:
385400002 (Maszyny i aparatura badawcza i pomiarowa)

Czy zamówienie jest podzielone na części: Nie

Czy dopuszcza się złożenie oferty wariantowej: Nie

Czy przewiduje się udzielenie zamówień uzupełniających: Nie

Czas: D

Data zakończenia: 30/06/2011

Zaliczka: Nie

Uprawnienia:
Ocena spełnienia warunków udziału w postępowaniu zostanie dokonana wg formuły spełnia/nie spełnia, na podstawie - złożonych przez Wykonawców oświadczeń i dokumentów

Wiedza i doświadczenie:
Ocena spełnienia warunków udziału w postępowaniu zostanie dokonana wg formuły spełnia/nie spełnia, na podstawie - złożonych przez Wykonawców oświadczeń i dokumentów

Potencjał techniczny:
Ocena spełnienia warunków udziału w postępowaniu zostanie dokonana wg formuły spełnia/nie spełnia, na podstawie - złożonych przez Wykonawców oświadczeń i dokumentów

Osoby zdolne do zrealizowania zamówienia:
Ocena spełnienia warunków udziału w postępowaniu zostanie dokonana wg formuły spełnia/nie spełnia, na podstawie - złożonych przez Wykonawców oświadczeń i dokumentów

Sytuacja ekonomiczna:
Ocena spełnienia warunków udziału w postępowaniu zostanie dokonana wg formuły spełnia/nie spełnia, na podstawie - złożonych przez Wykonawców oświadczeń i dokumentów

Oświadczenie nr 3: Tak

Oświadczenie nr 10: Tak

Oświadczenie wykluczenia nr 1: Tak

Oświadczenie wykluczenia nr 2: Tak

Oświadczenie wykluczenia nr 3: Tak

Oświadczenie wykluczenia nr 4: Tak

Oświadczenie wykluczenia nr 7: Tak

Dokumenty podmiotów zagranicznych: Tak

Dokumenty podmiotów zagranicznych: Tak

Dokumenty podmiotów zagranicznych: Tak

Dokumenty podmiotów zagranicznych: Tak

III.7 osoby niepełnosprawne: Nie

Kod trybu postepowania: PN

Czy zmiana umowy: Nie

Kod kryterium cenowe: B

Znaczenie kryterium 1: 45

Nazwa kryterium 2: Parametry techniczne

Znaczenie kryterium 2: 55

Czy wykorzystywana będzie aukcja: Nie

Adres strony internetowej specyfikacji i warunków zamówienia: www.zamowienia.pw.edu.pl/wykaz/

Adres uzyskania specyfikacji i warunków zamówienia:
Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej, ul. Wołoska 141, 02-507 Warszawa (pok.206)

Data składania wniosków, ofert: 27/05/2011

Godzina składania wniosków, ofert: 12:00

Miejsce składania:
Politechnika Warszawska, Wydział Inżynierii Materiałowej, ul. Wołoska 141, 02-507 Warszawa (pok.206)

On: O

Termin związania ofertą, liczba dni: 30

Czy unieważnienie postępowania: Nie

Podobne przetargi